HEXFET Power MOSFET
HEXFET Power MOSFET
International Rectifier
Dynamic dv/dt Rating, Repetitive Avalanche Rated, Isolated Central Mounting Hole, Fast Switching, Ease Paralleling, Simple Drive Requirements, Lead
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-247
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.014ohm, Id=72A)
SMPS MOSFET
Samsung semiconductor
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-247
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.9A I(D) | TO-247AC
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.8A I(D) | TO-247
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-247AC
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-247
HEXFET Power MOSFET
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-247AC
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-247AC
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | TO-247AC
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.8A I(D) | TO-247AC
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | TO-247AC
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-247AC
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | TO-247AC
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-247AC
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4.3A I(D) | TO-247AC